MOS管并聯(lián)均流技術分析 IGBT管并聯(lián)均流技術分析

時間：2015-08-26

作者：長春艾克思科技有限責任公司

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艾克思50kHz 脈沖“調(diào)Q電源”
艾克思50kHz 脈沖“調(diào)Q電源” ? 應用案例 A：LD泵浦的高頻電光調(diào)Q激光器 B：連續(xù)燈泵固體激光器（代替聲光調(diào)Q） C：快速光開關 D：激光調(diào)Q實驗教學儀器 ? 圖片簡要說明
MOS管并聯(lián)均流技術分析 IGBT管并聯(lián)均流技術分析
MOS管并聯(lián)均流技術分析 IGBT管并聯(lián)均流技術分析 BJT?管并聯(lián)均流技術分析 ? ? 普通的功率MOSFET因為內(nèi)阻低、耐壓高、電流大、驅(qū)動簡易等優(yōu)良特性而得到了廣泛應用。當單個MOSFET的電流或耗散功率不滿足設計的需求時就遇到了并聯(lián)mos管的問題。并聯(lián)mos管的兩大問題，其一就是mos管的選型，其二就是mos管參數(shù)的篩選。首先我們測試從某網(wǎng)店購買的IRF4
可編程高壓電源
一、應用范圍 1、高壓實驗 2、電器設備的絕緣耐壓測試 3、高壓電容耐壓測試 4、電子加速實驗 5、電離空氣產(chǎn)生等離子體 6、半導體器件測試 7、IGBT測試 8、二極管測試二、電源參數(shù) 類型數(shù)值單位備注輸出電壓 0-20.00 kV 電壓控制 0-5 V 電源自帶的多圈電位器可通過0-5V調(diào)節(jié)輸出的0-20kv 過流保護 5 W 當輸出功率大于5W時，電源自動啟動保護輸出功率 0
電光調(diào)Q驅(qū)動器已經(jīng)成為系列產(chǎn)品
電光調(diào)Q驅(qū)動器已經(jīng)成為系列產(chǎn)品 ??? 我公司研制的電光調(diào)Q驅(qū)動器已經(jīng)成為系列產(chǎn)品，分別為100Hz、1KHz、5KHz、10KHz、50KHz和200KHz。其中200KHz正在測試階段。