MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析

時(shí)間：2015-08-26作者：長春艾克思科技有限責(zé)任公司瀏覽：157

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• 0-45A??高精度積木式LD半導(dǎo)體激光器恒流源

  0-45A??高精度積木式LD半導(dǎo)體激光器恒流源 (型號：PWR-45A-20V) 應(yīng)用范圍：LD激光器驅(qū)動(dòng)光纖激光器激光打標(biāo)機(jī)高頻調(diào)Q激光 優(yōu)點(diǎn)：**：結(jié)構(gòu)簡單且容易實(shí)現(xiàn)任意大小電流輸出，使用子模塊搭積木式結(jié)構(gòu)，客戶維護(hù)方便快捷。 *二：基于子模塊高精度、高效率的特點(diǎn)，系統(tǒng)也具有精度高，效率**高特點(diǎn)。 *三：系統(tǒng)母板上再設(shè)過流、過熱保護(hù)，使得恒流源半導(dǎo)體激光器橫流驅(qū)動(dòng)源高可靠性。

• MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析

  MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析 BJT?管并聯(lián)均流技術(shù)分析 ? ? 普通的功率MOSFET因?yàn)閮?nèi)阻低、耐壓高、電流大、驅(qū)動(dòng)簡易等優(yōu)良特性而得到了廣泛應(yīng)用。當(dāng)單個(gè)MOSFET的電流或耗散功率不滿足設(shè)計(jì)的需求時(shí)就遇到了并聯(lián)mos管的問題。并聯(lián)mos管的兩大問題，其一就是mos管的選型，其二就是mos管參數(shù)的篩選。 首先我們測試從某網(wǎng)店購買的IRF4

• MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析

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• 長春艾克思3相逆變電源UPS順利通過EMC認(rèn)證

  長春艾克思3相逆變電源UPS順利通過EMC認(rèn)證 近日，長春艾克思科技有限責(zé)任公司研制的3相逆變電源UPS產(chǎn)品順利通過EMC測試，標(biāo)志著AIKS品牌逆變電源**了進(jìn)入國外市場的通行證，此項(xiàng)殊榮是一次一突破性的認(rèn)證。 ??眾所周知，由于逆變電源固有的特點(diǎn)，自身產(chǎn)生的各種噪聲形成一個(gè)很強(qiáng)的電磁干擾源，所產(chǎn)生的干擾隨著輸出功率的增大而明顯地增強(qiáng)，使整個(gè)電網(wǎng)的諧波污染狀況愈加嚴(yán)重。對電子設(shè)備的正常運(yùn)行構(gòu)成了