氧化銦錫薄膜的電子束蒸發(fā)制備及其電學(xué)性質(zhì)的研究

時(shí)間：2020-01-05作者：鄭州仟鑫金屬材料有限責(zé)任公司瀏覽：1008

鄭州仟鑫金屬材料有限責(zé)任公司專(zhuān)注于粗銦,ito靶材,ito靶粉,銦,精銦,含銦物料等

• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 氧化銦錫薄膜的電子束蒸發(fā)制備及其電學(xué)性質(zhì)的研究

  ? ??氧化銦錫（ITO）由于其在可見(jiàn)光區(qū)的高透射率和低電阻率，作為一種透明導(dǎo)電薄膜被廣泛的應(yīng)用于太陽(yáng)能電池和液晶顯示器等各種光電設(shè)備中。作為一種能被用于高溫的壓阻材料，國(guó)外對(duì)其壓阻效應(yīng)已經(jīng)有了足夠的重視，新的研究還在不斷地展開(kāi)，但是國(guó)內(nèi)對(duì)此的研究還相當(dāng)少。本文意在通過(guò)測(cè)量氧化銦錫的電阻溫度系數(shù)（TCR）和室溫下的響應(yīng)因子來(lái)研究氧化銦錫的壓阻效應(yīng)。 使用電子束蒸發(fā)技