現如今電子元器件行業發展如何

時間：2016-05-12

作者：武漢武整機電有限公司

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如何解決可控硅中頻電源運行中干擾問題呢？
如何解決可控硅中頻電源運行中干擾問題呢？隨著電力電子技術的發展和電力電子元器件（晶閘管）制造水平的提高，中頻感應加熱技術日臻完善。中頻感應加熱以其便捷高效的加熱性能正逐步取代煤、油等燃料加熱而成為工業加熱的可以選擇方式。作為感應加熱裝置的電源，KGPS(可控硅靜止變頻裝置)與傳統BPS機組(中頻發電機組)相比，負載適應性強，效率高，易于形成自動加熱線，已在工業加熱領域得到越來越廣泛的應用。無論是
固態繼電器的發熱及散熱器的選擇
固態繼電器或模塊的發熱量主要跟所驅動的負載的實際電流有關，而與其本身的電流等級大小關系不大。??????發熱量的計算公式(兩種)： 1：單相固態繼電器、單相交流調壓模塊、R系列固體調壓器發熱量=實際負載電流（安培）×1.5瓦/安培對三相固態繼電器、三相交流調壓模塊，其實際負載電流應為三相實際負載電流之和。 2：對于單相全控整流模塊
單項可控硅和雙向可控硅的區別
可控硅分為單向的和雙向的,符號也不同.單向可控硅有三個PN結,由較外層的P較和N較引出兩個電極,分別稱為陽極和陰極,由中間的P較引出一個控制較. 單向可控硅有其*特的特性:當陽極接反向電壓,或者陽極接正向電壓但控制較不加電壓時,它都不導通,而陽極和控制較同時接正向電壓時,它就會變成導通狀態.一旦導通,控制電壓便失去了對它的控制作用,不論有沒有控制電壓,也不論控制電壓的極性如何,將一直處于導通狀態
可控硅元件——可控元件的結構
可控硅元件—可控硅元件的結構 l?一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件，創制于1957年，由于它特性類似于真空閘流管，所以**上通稱為硅晶體閘流管，簡稱晶閘管T。又由于晶閘管較初應用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件，簡稱為可控硅SCR。 l?在性能上，可控硅不僅具有單向導電性，而且還具有比硅整流元件(俗稱“死硅”)較為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀