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5V1.2A小功率適配器芯片方案采用是原邊反饋電源芯片PN8366,可省略光耦和TL431。內置高壓啟動電路,可實現芯片空載損耗(230VAC)小于30mW,是一種高性能的源邊反饋(PSR)和單片開關電源控制器,專為具有電流模式控制的小型電源設備設計,PN8366集成**低待機功耗準諧振原邊控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET,驪微電子用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源,較大限度
PN8235產品概述:?????PN8235集成**低待機功耗原邊控制器及800V智能高壓啟動模塊,外驅功率DMOS,外部Rg可調。PN8235用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源。PN8235為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431。內置高壓啟動電路,可實現芯片空載損耗(230VAC)小于50mW。在恒壓模式,采用多模式技術提高效
PN8386產品描述:PN8386集成**低待機功耗準諧振原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源。PN8386為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431。內置高壓啟動電路,可實現芯片空載損耗(264VAC)小于50mW。在恒壓模式,采用準諧振與多模式技術提高效率并消除音頻噪聲,使得系統滿足6級能效標準,可調輸出線補償功能能使系統獲得較
PN8161概述:PN8161內部集成了準諧振工作的電流模式控制器和功率MOSFET,**于高性能、外圍元器件精簡的交直流轉換開關電源。該芯片提供了較為全面和性能優異的智能化保護功能,包括輸出過壓保護、周期式過流保護、過載保護、軟啟動功能。通過QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三種模式混合調制技術和特殊器件低功耗結構技術實現了**低的待機功耗、全電壓范圍下的較佳效率。頻率調制技術和S
公司名: 深圳市驪微電子科技有限公司
聯系人: 易善波
電 話: 13808858392
手 機: 13808858392
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