MOS管裂的原因和扭力建議

時(shí)間：2020-01-05作者：深圳市維品佳科技有限公司瀏覽：290

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  詞條說(shuō)明

• 肖特基二管的優(yōu)缺點(diǎn)

  肖特基二管的優(yōu)勢(shì)SBD的主要優(yōu)點(diǎn)包括兩個(gè)方面：1）由于肖特基勢(shì)壘高度PN結(jié)勢(shì)壘高度，故其正向?qū)ê驼驂航刀急萈N結(jié)二管低（約低0.2V）。2）由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件，不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復(fù)問(wèn)題。SBD的反向恢復(fù)時(shí)間只是肖特基勢(shì)壘電容的充、放電時(shí)間，不同于PN結(jié)二管的反向恢復(fù)時(shí)間。由于SBD的反向恢復(fù)電荷非常少，故開(kāi)關(guān)速度非常快，開(kāi)關(guān)損耗也特別小，尤其適合于高頻應(yīng)用。肖特基二管

• 中大型離線式電源轉(zhuǎn)化器，用什么芯片合適呢？

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• 啟達(dá)CR6257 CR6259系統(tǒng)應(yīng)用解決方案和技術(shù)服務(wù)

  啟達(dá)CR6257 CR6259系統(tǒng)應(yīng)用解決方案和技術(shù)服務(wù)本文闡述了CR6257 CR6259 兩款基于原邊控制方式的充 電器/適配器設(shè)計(jì)芯片，包括芯片的特征和詳細(xì)的工作原 理，以及設(shè)計(jì)技巧。CR6257 CR6259等芯片滿足六級(jí)能耗標(biāo)準(zhǔn)。CR6257 CR6259 特征： CC/CV 控制，無(wú)需光耦和 TL431內(nèi)置 600V 功率開(kāi)關(guān) MOSFET 低的啟動(dòng)電流：5uA（Typ） 低的工作電流

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  啟臣微啟達(dá)CR1252替NCP1252ADR2G一款電流模控制芯片CR1252可應(yīng)用于正激與反激工作的電流模控制IC產(chǎn)品概述CR1252替NCP1252ADR2G是一款電流模控制芯片，其可以工作在正激與反激兩種工作模式，外置內(nèi)部工作頻率可調(diào)引腳，通過(guò)選擇電阻調(diào)整芯片工作頻率，通過(guò)內(nèi)部特的保護(hù)機(jī)制檢測(cè)過(guò)載保護(hù)可以省去輔助繞組，以及芯片內(nèi)置線電壓低壓保護(hù)功能，使系統(tǒng)工作安全，可用于PC 電源，游戲機(jī)電