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MOS管為壓控元件,你只需加到它的壓控元件所需電壓就能使它導通,它的導通就像三管在飽和狀態一樣,導通結的壓降小.這就是常說的精典是開關效果.去掉這個操控電壓經就截止。MOS管的英文全稱叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),即金屬氧化物半導體型場效應管,歸于場效應晶體管中的絕緣柵型。因此,MOS管有時被稱為場效應管。在一
? ? ? ?晶閘管(Thyristor)是半導體閘流管的簡稱,又稱為可控硅整流元件(Silicon Controlled Rectifier, SCR)。它既有單向導電的整流作用,又有可控的開關作用,是一種大功率可控整流器件。它的出現使半導體器件由弱電領域擴展到強電領域。單結晶體管(UniJuction Transistor, UJT),簡稱單結管,又稱為
MBR10150 TO-220F:滿足多種電子設備需求的理想選擇MBR10150 TO-220F是一款廣泛適用于多種電子設備的理想IC。它是一款具有高效率、低噪聲、低熱量的電源管理IC,適用于各種應用場景,包括但不限于微控制器、LED驅動器、無線設備等。首先,MBR10150 TO-220F的效率極高,這使得它在節能環保的現代社會中具有巨大的優勢。它能夠在低負載和空閑時間里進入睡眠模式,從而顯著降
肖特基二管的優勢SBD的主要優點包括兩個方面:1)由于肖特基勢壘高度PN結勢壘高度,故其正向導通和正向壓降都比PN結二管低(約低0.2V)。2)由于SBD是一種多數載流子導電器件,不存在少數載流子壽命和反向恢復問題。SBD的反向恢復時間只是肖特基勢壘電容的充、放電時間,不同于PN結二管的反向恢復時間。由于SBD的反向恢復電荷非常少,故開關速度非常快,開關損耗也特別小,尤其適合于高頻應用。肖特基二管
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