STC4606 NP30V 6.5A 30mΩ SOP-8應用于電機可替代AO4606、NCE4606、AO4616

時間：2020-01-05

作者：司坦森集成電路（深圳）有限公司

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詞條說明
STANSON STC6614 可替代Si4559A SM6041SCK NCE603S
STC6614替代Si4559ADY、SM6041SCK描述stc6614是N和P溝道采用高密度增強型功率場效應晶體管DMOS器件溝道技術。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量減少對狀態(tài)的阻力并提供優(yōu)越的開關性能。該裝置特別適合于低電壓應用如筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路，在高側開關，低的在線功率損耗和電阻瞬態(tài)是必要的。特征N溝道60V /幅，RDS（ON）= 35mΩ（典型值）@ VG
STP413D P40V 12A用于掃地機可替代AOD413A、UT5504、UTD413
STP413D TO-252 P40V 12A替代UT5504、UTD413閩臺司坦森原廠直銷描述STP413D是P溝道增強型功率場效應晶體管邏輯的采用高密度，DMOS器件溝道技術。的stp413d已特別設計，以提高直流/直流轉換器的整體效率，無論是使用同步或傳統(tǒng)的開關型脈寬調制控制器。它已被優(yōu)化為低柵電荷，低的RDS（on）和快速開關速度。特征-40V / -12.0a，RDS（上）= 36mΩ
STN454D TO-252 N40V 10A 規(guī)格書中文資料PDF
??溝槽式場效電晶體 Trench_MOSFET ( TO-251/TO-252)Part No.TYPEVDSSVGSVTHIDSRDS(Max)PDPackageData SheetMinMax25°C10V4.5V2.5V1.8V5.0V25°CVVVVAm Ωm Ωm Ωm Ωm ΩWSTN454DN402013102530---50TO-252BitmapST9435A替代Si
臺灣STANSON原廠現貨STN4438 SOP-8 N60V 8.5A 應用于風扇
STANSON 原廠STN4438替代ME4436、Si4436DY、SM6029NSK描述STN4438是N溝道增強型功率場效應晶體管邏輯的采用高密度，DMOS器件溝道技術。這種高密度過程是特別定制，以盡量減少對國家的阻力。這些器件特別適合于低電壓應用，如電源管理和其他高側開關的電池供電電路。特征60V / 8.2A，RDS（ON）= 25毫歐（典型值）@ VGS = 10V60V / 7.6A