MOS管失效原因是什么？

時間：2019-12-18作者：司坦森集成電路（深圳）有限公司瀏覽：602

司坦森集成電路（深圳）有限公司專注于STP6621,STN4438等

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  詞條說明

• STANSON品牌STC6614 雙溝道NP60V 7A應用于風扇

  STC6614替代Si4559ADY、SM6041SCK產品描述STC6614是N和P溝道采用高密度增強型功率場效應晶體管DMOS器件溝道技術。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量減少對狀態的阻力,并提供優越的開關性能.該裝置特別適合于低電壓應用如筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路，在高側開關，低的在線功率損耗和電阻瞬態是必要的。參數N溝道60V /10A，RDS（ON）= 35mΩ（典型值

• STP413D P40V 12A用于掃地機 可替代AOD413A、UT5504、UTD413

  STP413D TO-252 P40V 12A替代UT5504、UTD413閩臺司坦森原廠直銷描述STP413D是P溝道增強型功率場效應晶體管邏輯的采用高密度，DMOS器件溝道技術。的stp413d已特別設計，以提高直流/直流轉換器的整體效率，無論是使用同步或傳統的開關型脈寬調制控制器。它已被優化為低柵電荷，低的RDS（on）和快速開關速度。特征-40V / -12.0a，RDS（上）= 36mΩ

• STC6301D 替代AOD603D、AOD603A、SM6042CSU

  STANSON 閩臺司坦森原廠直銷 長期庫存充足，價格優美，質量保證STC4301D替代AO606,AO609,FKD4903STC6301D可替代 AOD603D,AOD603A,SM6042CSU4說明STC6301d是采用高電池密度的n&p通道增強模式電場效應晶體管mos戰壕技術。這種高密度的過程特別適合將狀態阻力降到較低并提供優越的切換性能。這種裝置特別適用于低壓應用如電源管理，其

• MOS管STN2610 參數 N60V 50A 應用于電子測量儀器 原廠庫存足 交貨快

  STN2610D替代AO442G、50N06、NCE6050K描述stn2610d使用溝槽技術，提供優良的RDS（ON）和柵較電荷。這些設備是適合作為負載開關或在應用程序使用。特征60v / 10.0a，RDS（上）= 10mΩ（典型值@ VGS = 10v60v / 8.0a，RDS（上）= 12m@ VGS = 4.5v**高密度電池設計較低的RDS（on）特殊的阻力和較大直流電流能力to-25