二極管的主要應用？
- 時間：2022-09-24作者：上海寅涵智能科技發展有限公司瀏覽：167
上海寅涵智能科技發展有限公司專注于IGBT模塊,二極管,熔斷器,可控硅,晶閘管等
詞條
詞條說明
由于IGBT模塊為MOSFET結構，IGBT的柵較通過一層氧化膜與**較實現電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20～30V。因此因靜電而導致柵較擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點：在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅動端子部分，當必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后，再觸摸；在用導電材料連接模塊驅動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模
IGBT模塊的電壓規格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關。使用中當IGBT模塊集電極電流增大時，所產生的額定損耗亦變大。同時，開關損耗增大，使原件發熱加劇，因此，選用IGBT模塊時額定電流應大于負載電流。特別是用作高頻開關時，由于開關損耗增大，發熱加劇，選用時應該降等使用。
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