STC單片機的特性及缺點解析

時間：2022-10-03作者：司坦森集成電路（深圳）有限公司瀏覽：468

司坦森集成電路（深圳）有限公司專注于STP6621,STN4438等

• 詞條

  詞條說明

• MOS管STN2610 參數 N60V 50A 應用于電子測量儀器 原廠庫存足 交貨快

  STN2610D替代AO442G、50N06、NCE6050K描述stn2610d使用溝槽技術，提供優良的RDS（ON）和柵較電荷。這些設備是適合作為負載開關或在應用程序使用。特征60v / 10.0a，RDS（上）= 10mΩ（典型值@ VGS = 10v60v / 8.0a，RDS（上）= 12m@ VGS = 4.5v**高密度電池設計較低的RDS（on）特殊的阻力和較大直流電流能力to-25

• STANSON品牌STC6614 雙溝道NP60V 7A應用于風扇

  STC6614替代Si4559ADY、SM6041SCK產品描述STC6614是N和P溝道采用高密度增強型功率場效應晶體管DMOS器件溝道技術。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量減少對狀態的阻力,并提供優越的開關性能.該裝置特別適合于低電壓應用如筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路，在高側開關，低的在線功率損耗和電阻瞬態是必要的。參數N溝道60V /10A，RDS（ON）= 35mΩ（典型值

• STANSON STC6614 可替代Si4559A SM6041SCK NCE603S

  STC6614替代Si4559ADY、SM6041SCK描述stc6614是N和P溝道采用高密度增強型功率場效應晶體管DMOS器件溝道技術。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量減少對狀態的阻力并提供優越的開關性能。該裝置特別適合于低電壓應用如筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路，在高側開關，低的在線功率損耗和電阻瞬態是必要的。特征N溝道60V /幅，RDS（ON）= 35mΩ（典型值）@ VG

• 臺灣STANSON 專注MOS 13年STC4614 STP413D 原廠交貨快

  STC4614可替代其它：STC4616替代AO4611、Si4567、AO4614A、UD606、UTM4052、UD4614、Si4599DY、Si4564DY、SN4066CSK、STC4614產品介紹STC4614是N和P溝道采用高密度增強型功率場效應晶體管DMOS器件溝道技術。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量減少對狀態的阻力并提供優越的開關性能。該裝置特別適合于低電壓應用如筆記本