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由于IGBT模塊為MOSFET結構,IGBT的柵較通過一層氧化膜與**較實現電隔離。由于此氧化膜很薄,其擊穿電壓一般達到20~30V。因此因靜電而導致柵較擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點:在使用模塊時,盡量不要用手觸摸驅動端子部分,當必須要觸摸模塊端子時,要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后,再觸摸;在用導電材料連接模塊驅動端子時,在配線未接好之前請先不要接上模
1、正向性外加正向電壓時,在正向特性的起始部分,正向電壓很小,不足以克服PN結內電場的阻擋作用,正向電流幾乎為零,這一段稱為死區。這個不能使二極管導通的正向電壓稱為死區電壓。當正向電壓大于死區電壓以后,PN結內電場被克服,二極管正向導通,電流隨電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內,導通時二極管的端電壓幾乎維持不變,這個電壓稱為二極管的正向電壓。2、反向性外加反向電壓不**過一定范圍時,通過二較
(1) 熔斷器使用注意事項:①熔斷器的保護特性應與被保護對象的過載特性相適應,考慮到可能出現的短路電流,選用相應分斷能力的熔斷器。②熔斷器的額定電壓要適應線路電壓等級,熔斷器的額定電流要大于或等于熔體額定電流。③線路中各級熔斷器熔體額定電流要相應配合,保持**級熔體額定電流必須大于下一級熔體額定電流。④熔斷器的熔體要按要求使用相配合的熔體,不允許隨意加大熔體或用其他導體代替熔體。(2) 熔斷器巡視
熔斷器是根據電流**過規定值一段時間后,以其自身產生的熱量使熔體熔化,從而使電路斷開;運用這種原理制成的一種電流保護器。熔斷器廣泛應用于低壓配電系統和控制系統以及用電設備中,作為短路和過電流的保護器,是應用較普遍的保護器件之一。熔斷器是一種過電流保護器。熔斷器主要由熔體和熔管以及外加填料等部分組成。使用時,將熔斷器串聯于被保護電路中,當被保護電路的電流**過規定值,并經過一定時間后,由熔體自身產生的熱
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