英飛凌IGBT模塊的主要作用是什么？

時(shí)間：2025-06-09作者：昆山奇沃電子有限公司瀏覽：56

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• 詞條

  詞條說明

• 【進(jìn)口吸收電容】吸收電容特點(diǎn)

  無感吸收電容是指刻意采取了降低感抗措施的電熔類器件。采用電極板的特殊繞法，表現(xiàn)出的電感很小，適合在高頻電路使用。用途：主要用于UPS、變頻器、電鍍電源、逆變焊機(jī)、逆變電源以及感應(yīng)加熱設(shè)備等其他電力電子設(shè)備，IGBT吸收高頻尖峰電壓、電流用。無感吸收電熔 其實(shí)是無感吸收電熔的一個(gè)統(tǒng)稱吸收電容在電路中起的作用類似于低通濾波器，可以吸收掉尖峰電壓。通常用在有絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），消除由于母排的

• 熔斷器的工作原理

  熔斷器俗稱保險(xiǎn)絲,,它是一種安裝在電路中,保證電路安全運(yùn)行的電器元件。熔斷器其實(shí)就是一種過電流保護(hù)器。熔斷器的工作原理是:電流超過規(guī)定值一段時(shí)間后,熔斷器以自身產(chǎn)生的熱量使熔體熔化,從而使電路斷開。在配電系統(tǒng)和控制系統(tǒng)及用電設(shè)備中,熔斷器作為短路和嚴(yán)重過電流的保護(hù)器,是應(yīng)用最普遍的保護(hù)器件之一。熔斷器具有反延時(shí)特性,即過載電流小時(shí),熔斷時(shí)間長;過載電流大時(shí),熔斷時(shí)間短。所以,在一定過載電流范圍內(nèi),

• 可控硅的作用介紹及檢測(cè)方法

  1. 可控硅的特性。 可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有第一陽極A1（T1），第二陽極A2（T2）、控制極G三個(gè)引出腳。 只有當(dāng)單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時(shí)控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí)，方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時(shí)A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài)，陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導(dǎo)通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽極A

• SEMIKRON可控硅模塊

  # 可控硅模塊在現(xiàn)代電力控制中的關(guān)鍵角色可控硅模塊作為電力電子領(lǐng)域的核心元件，其重要性隨著工業(yè)自動(dòng)化程度提高而日益凸顯。這類功率半導(dǎo)體器件能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)交流電的精確控制，在電機(jī)調(diào)速、溫度控制、燈光調(diào)節(jié)等領(lǐng)域發(fā)揮著不可替代的作用。可控硅模塊的工作原理基于PNPN四層結(jié)構(gòu)，通過門極觸發(fā)實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通狀態(tài)的控制。當(dāng)門極施加適當(dāng)脈沖信號(hào)時(shí)，模塊進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)，即使移除觸發(fā)信號(hào)仍能保持導(dǎo)通，直至電流降至維持電流以下。這