詞條
詞條說明
無感吸收電容是指刻意采取了降低感抗措施的電熔類器件。采用電極板的特殊繞法,表現(xiàn)出的電感很小,適合在高頻電路使用。用途:主要用于UPS、變頻器、電鍍電源、逆變焊機(jī)、逆變電源以及感應(yīng)加熱設(shè)備等其他電力電子設(shè)備,IGBT吸收高頻尖峰電壓、電流用。無感吸收電熔 其實(shí)是無感吸收電熔的一個(gè)統(tǒng)稱吸收電容在電路中起的作用類似于低通濾波器,可以吸收掉尖峰電壓。通常用在有絕緣柵雙極型晶體管(IGBT),消除由于母排的
熔斷器俗稱保險(xiǎn)絲,,它是一種安裝在電路中,保證電路安全運(yùn)行的電器元件。熔斷器其實(shí)就是一種過電流保護(hù)器。熔斷器的工作原理是:電流超過規(guī)定值一段時(shí)間后,熔斷器以自身產(chǎn)生的熱量使熔體熔化,從而使電路斷開。在配電系統(tǒng)和控制系統(tǒng)及用電設(shè)備中,熔斷器作為短路和嚴(yán)重過電流的保護(hù)器,是應(yīng)用最普遍的保護(hù)器件之一。熔斷器具有反延時(shí)特性,即過載電流小時(shí),熔斷時(shí)間長;過載電流大時(shí),熔斷時(shí)間短。所以,在一定過載電流范圍內(nèi),
1. 可控硅的特性。 可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有第一陽極A1(T1),第二陽極A2(T2)、控制極G三個(gè)引出腳。 只有當(dāng)單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓,同時(shí)控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí),方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時(shí)A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài),陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導(dǎo)通后,控制器G即使失去觸發(fā)電壓,只要陽極A
# 可控硅模塊在現(xiàn)代電力控制中的關(guān)鍵角色可控硅模塊作為電力電子領(lǐng)域的核心元件,其重要性隨著工業(yè)自動(dòng)化程度提高而日益凸顯。這類功率半導(dǎo)體器件能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)交流電的精確控制,在電機(jī)調(diào)速、溫度控制、燈光調(diào)節(jié)等領(lǐng)域發(fā)揮著不可替代的作用。可控硅模塊的工作原理基于PNPN四層結(jié)構(gòu),通過門極觸發(fā)實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通狀態(tài)的控制。當(dāng)門極施加適當(dāng)脈沖信號(hào)時(shí),模塊進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài),即使移除觸發(fā)信號(hào)仍能保持導(dǎo)通,直至電流降至維持電流以下。這
公司名: 昆山奇沃電子有限公司
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電 話: 0512-50111678
手 機(jī): 18962647678
微 信: 18962647678
地 址: 江蘇蘇州昆山市昆山市玉山鎮(zhèn)富士康路932號(hào)
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