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可控硅模塊使用時間長了,它的溫度就會升高,如果溫度過高就容易損壞,并且降低使用壽命,這就需要我們了解測試可控硅模塊的升溫方法:1、可控硅模塊環境溫度的測定:在距被測可控硅模塊表面1.5m處放置溫度計,溫度計測點距地面的高度與減速機軸心線等高,溫度計的放置應不受外來輻射熱與氣流的影響,環境溫度數值的讀取與工作溫度數值的讀取應同時進行。2、可控硅模塊溫升按下式計算:式中:Δt--可控硅模塊的溫升,℃。
IGBT模塊型號背后的技術密碼電力電子領域的技術人員對IGBT模塊型號中的字母數字組合再熟悉不過。這些看似隨意的字符排列,實則暗藏著模塊的關鍵技術參數和性能特征。以英飛凌IGBT模塊為例,型號命名規則揭示了功率半導體器件的技術演進軌跡。模塊型號中的電壓等級標識直接對應著器件的耐壓能力。常見的600V、1200V、1700V等數字代表著器件能夠承受的最大反向電壓。電壓等級的選擇直接影響著模塊在變頻器
無感吸收電容的主要用途無感吸收電容是指刻意采取了降低感抗措施的電熔類器件。采用電極板的特殊繞法,表現出的電感很小,適合在高頻電路使用。用途:主要用于UPS、變頻器、電鍍電源、逆變焊機、逆變電源以及感應加熱設備等其他電力電子設備,IGBT吸收高頻尖峰電壓、電流用。無感吸收電熔 其實是無感吸收電熔的一個統稱吸收電容在電路中起的作用類似于低通濾波器,可以吸收掉尖峰電壓。通常用在有絕緣柵雙極型晶體管(IG
## IGBT模塊:電力電子領域的核心器件 IGBT模塊作為現代電力電子技術的核心部件,其性能直接影響著電能轉換的效率與可靠性。這種由絕緣柵雙極型晶體管構成的功率半導體器件,兼具MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低導通壓降特性,在工業變頻器、新能源發電、電動汽車等領域展現出不可替代的價值。 高效能功率轉換是IGBT模塊最顯著的技術特征。通過優化溝槽柵結構和減薄晶圓工藝,當代IGBT模塊的導通損耗較
公司名: 昆山奇沃電子有限公司
聯系人: 林志勝
電 話: 0512-50111678
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