開關(guān)電源降壓型電路原理和設(shè)計

時間：2020-01-05作者：武漢翔雷電子有限公司瀏覽：2507

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• 詞條

  詞條說明

• 變頻器如何直接影響系統(tǒng)動態(tài)特性

  ?變頻器系統(tǒng)低頻特性改善措施（1） 1、啟動轉(zhuǎn)距的提升 由于系統(tǒng)在低頻時R1上的壓降影響，使系統(tǒng)的啟動轉(zhuǎn)距隨W1下降而減小，為此變頻器設(shè)有轉(zhuǎn)距提升功能，該功能可以調(diào)整低頻區(qū)域電動機(jī)的力矩，使之與負(fù)荷配合，增大啟動轉(zhuǎn)距。可選擇自動轉(zhuǎn)距提升和手動轉(zhuǎn)距提升模式，其原理是提升定子電壓也就相應(yīng)提高了啟動轉(zhuǎn)距，但提升電壓設(shè)置過高，將導(dǎo)致電流過大引起電動機(jī)飽和、過熱或過電流跳閘。如1336PLUS系列

• 渦流是怎樣產(chǎn)生的，有何利弊

  9.渦流是怎樣產(chǎn)生的，有何利弊?? 答：置于變化磁場中的導(dǎo)電物體內(nèi)部將產(chǎn)生感應(yīng)電流，以反抗磁通的變化，這種電流以磁通的軸線為中心呈渦旋形態(tài)，故稱渦流。 在電機(jī)中和變壓器中，由于渦流存在，將使鐵芯產(chǎn)生熱損耗，同時，使磁場減弱，造成電氣設(shè)備效率降低，容量不能充分利用，所以，多數(shù)交流電氣設(shè)備的鐵芯，都是用0.35或0.5毫米厚的硅鋼片迭成，渦流在硅鋼片間不能穿過，從而減少渦流的損耗。渦流的熱效

• 功率半導(dǎo)體器件性能

  焦點一：功率半導(dǎo)體器件性能 1998年，Infineon公司推出冷MOS管，它采用“**級結(jié)”(Super-Junction)結(jié)構(gòu)，故又稱**結(jié)功率MOSFET。工作電壓600V～800V，通態(tài)電阻幾乎降低了一個數(shù)量級，仍保持開關(guān)速度快的特點，是一種有發(fā)展前途的高頻功率半導(dǎo)體器件。 IGBT剛出現(xiàn)時，電壓、電流額定值只有600V、2**。很長一段時間內(nèi)，耐壓水平限于1200V～1700V，經(jīng)過長時間

• 焦點五：PFC變換器 由于AC/DC變換電路的輸入端有整流元件和濾波電容，在正弦電壓輸入時，單相整流電源供電的電子設(shè)備，電網(wǎng)側(cè)(交流輸入端)功率因數(shù)僅為0.6～0.65。采用PFC(功率因數(shù)校正)變換器，網(wǎng)側(cè)功率因數(shù)可提高到0.95～0.99，輸入電流THD小于10%。既治理了電網(wǎng)的諧波污染，又提高了電源的整體效率。這一技術(shù)稱為有源功率因數(shù)校正APFC單相APFC國內(nèi)外開發(fā)較早，技術(shù)已較成熟；三