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《晶柱成長制程》 硅晶柱的長成,首先需要將純度相當高的硅礦放入熔爐中,并加入預先設定好的金屬物質,使產生出來的硅晶柱擁有要求的電性特質,接著需要將所有物質融化后再長成單晶的硅晶柱,以下將對所有晶柱長成制程做介紹。 長晶主要程序︰ 融化(MeltDown) 此過程是將置放于石英坩鍋內的塊狀復晶硅加熱制**攝氏1420度的融化溫度之上,此階段中較重要的參數為坩鍋的位置與熱量的供應,若使用較大的功率來
1.引言 隨著納米科技的發展,納米尺度制造業發展*,而納米加工就是納米制造業的**部分,納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。近年來發展起來的聚焦離子束(FIB)技術利用高強度聚焦離子束對材料進行納米加工,配合掃描電鏡(SEM)等高倍數電子顯微鏡實時觀察,成為了納米級分析、制造的主要方法。目前已廣泛應用于半導體集成電路修改、切割和故障分析等。 2.工作原理 聚焦離子束(ed Ion beam, F
芯片失效案例分析之EOS** 作為研發較怕遇到的事情之一就是芯片失效的問題,好端端的芯片突然異常不能正常工作了,很多時候想盡辦法卻想不出問題在哪。的確,芯片失效是一個非常讓人頭疼的問題,它可能發生在研發初期,可能發生在生產過程中,還有可能發生在終端客戶的使用過程中。造成的影響有時候也非常巨大。 芯片失效的原因多種多樣,并且它的發生也無明顯的規律可循。那么有沒有一些辦法來預防芯片失效的發生呢?這里會
1 、C-SAM(超聲波掃描顯微鏡),無損檢查:1.材料內部的晶格結構,雜質顆粒.夾雜物.沉淀物.2. 內部裂紋. 3.分層缺陷.4.空洞,氣泡,空隙等. 德國 2 、X-Ray(這兩者是芯片發生失效后首先使用的非破壞性分析手段),德國Fein 微焦點Xray用途:半導體BGA,線路板等內部位移的分析 ;利于判別空焊,虛焊等BGA焊接缺陷. 參數:標準檢測分辨率<500納米 ;幾何放大倍數: 2
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