IC封裝失效分析實驗室

時間：2020-04-13作者：儀準科技（北京）有限公司瀏覽：150

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• 詞條

  詞條說明

• 半導體材料SiC和GaN

  寬禁帶半導體材料SiC和GaN 的研究現狀 **代半導體材料一般是指硅（Si）元素和鍺（Ge）元素，其奠定了20 世紀電子工業的基礎。*二代半導體材料主要指化合物半導體材料，如砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、磷化鎵（GaP）、砷化銦（InAs）、砷化鋁（AlAs）及其合金化合物等，其奠定了20 世紀信息光電產業的基礎。*三代寬禁帶半導體材料一般是指氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氮化鋁（

• 疫情捐助百萬探針臺無償捐贈湖北

  疫情當下，中國經濟發展將受到短暫的影響。儀準科技心系國家，將愛傳遞，特向受影響較大的湖北省援助**百萬的探針臺。 援助方案分兩部分，總****過100**民幣。 1、免費捐贈探針臺產品（5臺）。 A、 ADVANCED PW-400-PCKG 3套 每套配置如下： PW-400：4 inch chuck（探針臺主體） 1 pcs SMZ-168： 20X目鏡 15-100x放大(體式顯微鏡) 1

• 無損檢測科普

  無損檢測分析 工程檢查/無損檢測無損檢測是在不損壞工件或原材料工作狀態的前提下，對被檢驗部件的表面和內部質量進行檢查的一種測試手段。 無損檢測方法 常用的無損檢測方法有：X光射線探傷、超聲波探傷、磁粉探傷、滲透探傷、渦流探傷、γ射線探傷、螢光探傷、著色探傷等方法。 無損檢測目地 通過對產品內部缺陷進行檢測對產品從以下方面進行改進。 1、改進制造工藝； 2、降低制造成本； 3、提高產品的可靠性； 4

• 失效分析fib

  失效分析fib 1.IC芯片電路修改 用FIB對芯片電路進行物理修改可使芯片設計者對芯片問題處作針對性的測試,以便較快較準確的驗證設計方案。 若芯片部份區域有問題,可通過FIB對此區域隔離或改正此區域功能,以便找到問題的癥結。 FIB還能在較終產品量產之前提供部分樣片和工程片,利用這些樣片能加速終端產品的上市時間。利用FIB修改芯片可以減少不成功的設計方案修改次數，縮短研發時間和周期。 2.Cro