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熱插拔帶來的EOS損壞 \使用USB接口的產品,如果熱插拔設計存在問題的話,*帶來EOS破壞。 產品熱插拔的時候,可能會帶來瞬時的大電流,這種大電流,是一種震蕩波,首先,可能直接破壞芯片或器件,而是激發(fā)芯片產生大電流的latchup效應,最后燒壞芯片或器件。 某產品試用時,插拔時頻頻出現損壞,經過比對電性分析,發(fā)現電性明顯異常,進行EMMI測試,發(fā)現芯片表面異常亮點,在顯微鏡下,發(fā)現鋁線燒損,判
晶圓代工迎來新的黃金期 近期,以臺積電為代表的幾大晶圓代工廠備受關注,原因在于它們2020年**季度的財報。與各大IDM和Fabless**和*二季度低迷的財報或財測不同,臺積電、聯電和中芯**這三大晶圓代工廠的業(yè)績十分亮眼,與當下疫情給半導體產業(yè)帶來的負面影響形成了鮮明的對比。看來,晶圓代工(Foundry)這種商業(yè)模式確有其過人之處。 2019年10月,DIGITIMES Research預估
一、X-ray是什么? X-ray是利用陰極射線管產生高能量電子與金屬靶撞擊,在撞擊過程中,因電子突然減速,其損失的動能會以X-Ray形式放出。而對于樣品無法以外觀方式觀測的位置,利用X-Ray穿透不同密度物質后其光強度的變化,產生的對比效果可形成影像,即可顯示出待測物的內部結構,進而可在不破壞待測物的情況下觀察待測物內部有問題的區(qū)域。 二、X-ray能做什么事? 高精度X-ray是無損檢測重要方
《晶柱成長制程》 硅晶柱的長成,首先需要將純度相當高的硅礦放入熔爐中,并加入預先設定好的金屬物質,使產生出來的硅晶柱擁有要求的電性特質,接著需要將所有物質融化后再長成單晶的硅晶柱,以下將對所有晶柱長成制程做介紹。 長晶主要程序︰ 融化(MeltDown) 此過程是將置放于石英坩鍋內的塊狀復晶硅加熱制**攝氏1420度的融化溫度之上,此階段中較重要的參數為坩鍋的位置與熱量的供應,若使用較大的功率來
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