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[封裝失效分析系列一] IC封裝失效分析實驗室 近年來,隨著半導體技術的不斷發展,繼續減小線寬的投入與其回報相比變得越來越不劃算。業界大佬Intel的10nm工藝預計將在2017年Q3亮相,這個時間點明顯已經偏離摩爾定律。高度集成化的芯片,如SoC(systemon chip)的設計與流片成本過高,使得近些年SiP(System in Package)逐漸受到熱捧。通過不同種類芯片及封裝顆粒之間的
作為各種元器件的載體與電路信號傳輸的樞紐,PCB已經成為電子信息產品的較為重要而關鍵的部分,其質量的好壞與可靠性水平決定了整機設備的質量與可靠性。但是由于成本以及技術的原因,PCB在生產和應用過程中出現了大量的失效問題。 對于這種失效問題,我們需要用到一些常用的失效分析技術,來使得PCB在制造的時候質量和可靠性水平得到一定的保證,本文總結了**失效分析技術,供參考借鑒。 1.外觀檢查 外觀檢查就是
開封, 即開蓋/開帽, 指去除ic封膠, 同時保持芯片功能的完整無損, 保持 die, bond pads, bond wires乃至lead-frame不受損傷, 為下一步芯片失效分析實驗做準備. 去封范圍:* 普通封裝* COB、BGA * 陶瓷、金屬等其它特殊封裝 芯片開封機介紹: 美國RKD生產的RKD 酸開封機是一臺自動混酸開封機,通過整合了***的特點使得它可以獲得更高的產能。新開封機
白話芯片漏電定位方法科普 原創 儀準科技 王福成 轉載請寫明出處 芯片漏電是失效分析案例中較常見的,找到漏電位置是查明失效原因的前提,液晶漏電定位、EMMI(CCD\InGaAs)、激光誘導等手段是工程人員經常采用的手段。多年來,在中國半導體產業有個誤區,認為激光誘導手段就是OBIRCH。今日小編為大家科普一下激光誘導(laser scan Microscope). 目前激光誘導功能在業內普遍被采
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