全新原裝 2SK208-GR SOT-23 MOS場效應管 貼片三極管

時間：2021-08-23作者：深圳市南北行電子發展有限公司瀏覽：175

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  詞條說明

• B540C-13-F 封裝SMC 5A 40V肖特基貼片二極管

  B540C 規格信息： 制造商:Diodes Incorporated 產品種類:肖特基二極管與整流器 技術:Si Vrrm - 重復反向電壓:40 V If - 正向電流:5 A Ifsm - 正向浪涌電流:100 A 配置:Single Vf - 正向電壓:0.55 V Ir - 反向電流 :500 uA 最大工作溫度:+ 125 C 最小工作溫度:- 55 C 安裝風格:SMD/SMT封裝

• AP3407KTR-G1 DC-DC降壓芯片 絲印GJA SOT23-5

  一般說明 AP3407/A是一個1.4MHz的固定頻率、電流模式、PWM同步降壓（降壓）直流-直流轉換器，能夠驅動1.2A的負載，高效、線路優良和負載調節。該設備集成了同步p通道和n通道MOSFET電源開關與低電阻。它是理想的供電，從單一的鋰離子電池的便攜式設備。 一個標準系列的電感器可從幾個不同的制造商優化使用的AP3407/A。這一特性大大簡化了開關模式電源的設計。 AP3407/A有SOT

• BY25D16 全新原裝 FLASH存儲器芯片IC

  1.說明BY25D16為16M位串行外圍接口(SPI)閃存，并支持雙SPI：串行時鐘、芯片選擇、串行數據I/O0(SI)、I/O1(SO)。雙輸出數據的傳輸速度為108Mbits/s。該設備使用一個單一的低壓電源，范圍從2.7伏到3.6伏 此外，該設備還支持JEDEC標準制造商和設備ID。 為滿足環境要求，博雅微電子提供8針SOP150mil、173mil或208mil、8針USON3x3mm、D

• 原裝正品 MT40A512M8RH-083E:B 封裝FBGA-78 儲存器芯片IC

  描述 DDR4sdram是一種高速動態隨機存取存儲器，其內部配置為用于x16配置的8行DRAM和用于x4和x8配置的16行DRAM。DDR4sdram使用8n-預取架構來實現高速操作。8n-預取體系結構與一個接口相結合，該接口被設計用于在輸入/輸出引針的每個時鐘周期上傳輸兩個數據字。 針對DDR4sdram的單個READ或寫入操作包括在內部DRAM核心的單個8n位寬、四時鐘數據傳輸和在I/O針腳的