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【德國西門康可控硅】可控硅結構


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  • 二極管模塊

    雪崩擊穿另一種擊穿為雪崩擊穿。當反向電壓增加到較大數值時,外加電場使電子漂移速度加快,從而與共價鍵中的價電子相碰撞,把價電子撞出共價鍵,產生新的電子-空穴對。新產生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子,載流子雪崩式地增加,致使電流急劇增加,這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿,若對其電流不加限制,都可能造成PN結性損壞。標準二極管模塊特點:*JEDEC TO-240 AA **標準封裝*直接銅敷

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