【德國西門康可控硅】可控硅結構

時間：2021-09-13

作者：上海秦邦電子科技有限公司

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全新300HF120P 300U60A 300UR60A美國vishay旋轉二極管
全新300HF120P 300U60A 300UR60A美國vishay旋轉二極管昆山新東佳電子主要銷售品牌包括:英飛凌、歐派克（Infineon）、日本三社、IXYS艾賽斯、西門康、西碼、富士、三菱、新電源、東芝、IR、摩托羅拉、西門子、英達、三肯、三洋、APT、ST ABB、CDE等國外**公司生產的IGBT、可控硅、晶閘管、GTR、IPM、PIM、快恢復二極管、整流橋、電解電容、驅動電路、M
【英飛凌IGBT模塊】IGBT工作特性
IGBT工作特性靜態特性IGBT 的靜態特性主要有伏安特性、轉移特性。IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時，漏較電流與柵較電壓之間的關系曲線。輸出漏較電流比受柵源電壓Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區1 、放大區2 和擊穿特性3 部分。在截止狀態下的IGBT ，正向電壓由J2 結承擔，反向電壓由J1結承擔。如果無N+緩沖區，則正反
【可控硅模塊】可控硅模塊特點
可控硅模塊特點1、整流結構**采用**出口變壓器結構設計大大提高了整流效率節約了能源并使整機體積、重量大為減小，可靠性大為提高。2、控制特性良好采用的控制電路與**主流可控硅控制電路可完全互換，該控制電路它具有自動穩壓/穩流、自動電流密度、0-180秒任意調節軟啟動等良好控制功能，并可通過接口實現計算機控制，是目前**的可控硅控制系統。工作穩定、抗干擾能力強、穩流/穩壓精度高、使用壽命長。3、工作
二極管模塊
雪崩擊穿另一種擊穿為雪崩擊穿。當反向電壓增加到較大數值時，外加電場使電子漂移速度加快，從而與共價鍵中的價電子相碰撞，把價電子撞出共價鍵，產生新的電子-空穴對。新產生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子，載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿，若對其電流不加限制，都可能造成PN結性損壞。標準二極管模塊特點：*JEDEC TO-240 AA **標準封裝*直接銅敷