【英飛凌IGBT模塊】IGBT結構

時間：2021-09-13

作者：上海秦邦電子科技有限公司

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詞條
詞條說明
【德國西門康可控硅】可控硅特性
可控硅特性常用的有阻容移相橋觸發電路、單結晶體管觸發電路、晶體三極管觸發電路、利用小晶閘管觸發大晶閘管的觸發電路，等等。可控硅的主要參數有：1、額定通態平均電流IT 在一定條件下，陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、正向阻斷峰值電壓VPF 在控制較開路未加觸發信號，陽極正向電壓還未**過導能電壓時，可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅承受的正向電壓峰值，不能**
【英飛凌IGBT模塊】IGBT檢測
IGBT檢測判斷極性首先將萬用表撥在R×1KΩ擋，用萬用表測量時，若某一較與其它兩較阻值為無窮大，調換表筆后該較與其它兩較的阻值仍為無窮大，則判斷此較為柵較(G )其余兩較再用萬用表測量，若測得阻值為無窮大，調換表筆后測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極(C);黑表筆接的為發射較(E)。判斷好壞將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT 的集電極(C)，紅表筆接IGB
熔斷器要怎么選？
1.熔斷器類型的選用根據使用環境、負載性質和短路電流的大小選用適當類型的熔斷器。例如，對于容量較小的照明電路，可選用RT系列圓筒帽型熔斷器；相對于短路電流相當大或有易燃氣體的地方，應選用RT系列有填料密封管式熔斷器；在機床控制電路中，多選用RL系列螺旋式熔斷器；用于半導體功率元件及晶閘管的保護時，應選用RS或RLS系列快速熔斷器。2.熔斷器額定電壓和額定電流的選用熔斷器的額定電壓必須不小于電路的額
【英飛凌IGBT模塊】IGBT結構
IGBT結構N溝道增強型絕緣柵雙較晶體管結構， N+區稱為源區，附于其上的電極稱為源較（即發射較E）。N基較稱為漏區。器件的控制區為柵區，附于其上的電極稱為柵較（即門較G）。溝道在緊靠柵區邊界形成。在C、E兩較之間的P型區（包括P+和P-區）（溝道在該區域形成），稱為亞溝道區（Subchannel region）。而在漏區另一側的P+區稱為漏注入區（Drain injector），它是IGBT特有