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晶閘管由硅單晶材料制成PN三端組件具有單向導通性、電壓和電流控制、小驅動(毫安級)控制大功率負載。由于其特點,常用于可控整流、逆變器、無觸點開關、交流壓力調節等方面。除了普通的晶閘管外,由于不同場合的使用要求,還產生了各種類型的晶閘管。普通晶閘管1.關閉晶閘管 KG普通晶閘管控制極限G加上普通晶閘管導通的正向觸發信號,控制較G為了關閉普通晶閘管,必須失去陽極A與陰極K正電壓為零或負電壓。只要控制較
二極管的主要原理就是利用PN結的單向導電性,在PN結上加上引線和封裝就成了一個二極管。晶體二極管為一個由P型半導體和N型半導體形成的PN結,在其界面處兩側形成空間電荷層,并建有自建電場。當不存在外加電壓時,由于PN結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態。當外界有正向電壓偏置時,外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電
可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。較早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。可控硅模塊從內部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類;從具體的用途上區分,可以分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合
IGBT檢測判斷極性首先將萬用表撥在R×1KΩ擋,用萬用表測量時,若某一較與其它兩較阻值為無窮大,調換表筆后該較與其它兩較的阻值仍為無窮大,則判斷此較為柵較(G )其余兩較再用萬用表測量,若測得阻值為無窮大,調換表筆后測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中,則判斷紅表筆接的為集電極(C);黑表筆接的為**較(E)。判斷好壞將萬用表撥在R×10KΩ擋,用黑表筆接IGBT 的集電極(C),紅表筆接IGB
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