【英飛凌IGBT銷售】IGBT簡介

時間：2025-05-27作者：昆山奇沃電子有限公司瀏覽：1200

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  詞條說明

• 【二極管模塊】二極管模塊分類

  二極管算是半導體家族中的元老了，從1930年開始，半導體整流器開始投入市場。二極管模塊分為：快恢復二極管模塊，肖特基二極管模塊，整流二極管模塊、光伏防反二極管模塊等。而二極管和二極管模塊主要區別是功率、速度和封裝不同。二級管一般指電流、電壓、功率比較小的單管，一般電流在幾個安培以內，電壓最高1000多V，但是反向恢復素很快，只有幾個ns至幾十個ns，用在小功率開關電源做輸出整流，或需要頻繁開關的場

• 無感吸收電容的主要用途

  無感吸收電容的主要用途無感吸收電容是指刻意采取了降低感抗措施的電熔類器件。采用電極板的特殊繞法，表現出的電感很小，適合在高頻電路使用。用途：主要用于UPS、變頻器、電鍍電源、逆變焊機、逆變電源以及感應加熱設備等其他電力電子設備，IGBT吸收高頻尖峰電壓、電流用。無感吸收電熔 其實是無感吸收電熔的一個統稱吸收電容在電路中起的作用類似于低通濾波器，可以吸收掉尖峰電壓。通常用在有絕緣柵雙極型晶體管（IG

• 可控硅調速原理

  可控硅調速是用改變可控硅導通角的方法來改變電機端電壓的波形,從而改變電機端電壓的有效值,達到調速的目的。當可控硅導通角=180時,電機端電壓波形為正弦波,即全導通狀態;當可控硅導通角<180時,即非全導通狀態,電壓有效值減小;導通角越小,導通狀態越少,則電壓有效值越小,所產生的磁場越小,則電機的轉速越低。由以上的分析可知,采用可控硅調速其電機的轉速可連續調節。CPU⑥腳輸出的驅動信號經Q5放

• 富士可控硅模塊型號

  # 可控硅模塊的核心技術解析可控硅模塊作為電力電子領域的關鍵元器件，其核心技術直接決定了設備的性能表現。觸發電路設計是可控硅模塊的核心部分，它需要精確控制導通角，確保在交流電的正半周或負半周準確觸發。現代可控硅模塊普遍采用光電隔離觸發技術，這種設計能有效隔離高低壓電路，提高系統的安全性和抗干擾能力。散熱性能是衡量可控硅模塊可靠性的重要指標。大功率應用場景下，模塊會產生大量熱量，優秀的散熱設計能顯著