KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220濺射沉積 ZrAlN薄膜

時(shí)間：2024-01-12作者：伯東企業(yè)（上海）有限公司瀏覽：65

伯東企業(yè)（上海）有限公司專注于pfeiffer,氦質(zhì)譜檢漏儀,inTEST等

• 詞條

  詞條說明

• 美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 40 熱蒸鍍機(jī)應(yīng)用

  上海伯東某客戶在熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)中配置美國?KRi 考夫曼離子源?KDC 40, 進(jìn)行鍍膜前基片預(yù)清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD 工藝, 通過同時(shí)的或連續(xù)的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應(yīng)力, 工藝效率等.離子源鍍膜前基片預(yù)清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD考夫曼離子源 KDC 40 到基片距離控制在 3

• KRI 霍爾離子源應(yīng)用于黑膜鍍制

  ? ?? ? ?黑膜鍍制,?是指將入射到材料表面的光線,?包括紫外光、可見光、近紅外光以及中遠(yuǎn)紅外波段的光,?幾乎全部吸收而基本沒有反射的表面處理技術(shù).?高的吸收率使黑膜有著廣闊的應(yīng)用前景.?如可在精密光學(xué)儀器和光學(xué)零件、醫(yī)療儀器、航空航天、外觀裝飾品等產(chǎn)品上得到廣泛使用,?可大幅度提高產(chǎn)

• HVA 真空閥門 11000 用在 OLED 鍍膜機(jī)

  國內(nèi)某?OLED?鍍膜機(jī)廠家配置伯東美國?HVA?真空閥門?11000?系列，尺寸以?4”, 6”, 8”閥門口徑為主的標(biāo)準(zhǔn)不銹鋼氣動(dòng)高真空閘閥,?HVA?不銹鋼真空閘閥?11000?系列標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)規(guī)格:??下圖是某?OLED?鍍膜機(jī)廠家配置上海伯東美

• 氦質(zhì)譜檢漏儀 MPCVD 檢漏, 實(shí)現(xiàn)金剛石膜制備

  氦質(zhì)譜檢漏儀 MPCVD 檢漏, 實(shí)現(xiàn)金剛石膜制備微波等離子體化學(xué)氣相沉積法 Microwave Plasma CVD (MPCVD) 是目前**上被用于金剛石膜制備的公認(rèn)方法. MPCVD 裝置將微波發(fā)生器產(chǎn)生的微波經(jīng)波導(dǎo)傳輸系統(tǒng)進(jìn)入反應(yīng)器, 并通入甲烷與氫氣的混合氣體, 在微波的激發(fā)下, 在反應(yīng)室內(nèi)產(chǎn)生輝光放電, 使反應(yīng)氣體的分子離化, 產(chǎn)生等離子體, 在基板臺(tái)上沉積得到金剛石膜. 上海伯東某