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    蘇州徳昇锘電子科技有限公司專注于可控硅,晶閘管,二極管等

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  • 熔斷器供應商告訴你熔斷器原理與作用

    常用的熔斷器(1)插入式熔斷器它常用于380V及以下電壓等級的線路末端,作為配電支線或電氣設備的短路保護用。(2)螺旋式熔斷器熔體上的上端蓋有一熔斷指示器,一旦熔體熔斷,指示器馬上彈出,可透過瓷帽上的玻璃孔觀察到,它常用于機床電氣控制設備中。螺旋式熔斷器。分斷電流較大,可用于電壓等級500V及其以下、電流等級200A以下的電路中,作短路保護。(3)封閉式熔斷器封閉式熔斷器分有填料熔斷器和無填料熔斷

  • 可控硅調速原理

    可控硅調速是用改變可控硅導通角的方法來改變電機端電壓的波形,從而改變電機端電壓的有效值,達到調速的目的。當可控硅導通角=180時,電機端電壓波形為正弦波,即全導通狀態;當可控硅導通角<180時,即非全導通狀態,電壓有效值減小;導通角越小,導通狀態越少,則電壓有效值越小,所產生的磁場越小,則電機的轉速越低。由以上的分析可知,采用可控硅調速其電機的轉速可連續調節。CPU⑥腳輸出的驅動信號經Q5放

  • 小型輕量的直接水冷式車載IGBT模塊耐壓為1200V

    富士電機與日本山梨大學的研究小組開發出了小型輕量的直接水冷式車載IGBT模塊,這個IGBT模塊與其它的模塊的區別,此次開發品的特點在于陶瓷基板使用Al2O3、散熱片使用鋁。競爭產品大多是陶瓷基板使用Si3N4、散熱片使用銅,或者陶瓷基板使用Al2O3、散熱片使用銅。并在功率半導體國際會議“ISPSD 2013”上發表了該模塊采用的技術。該小型輕量的直接水冷式車載IGBT模塊的耐壓為1200V,電流

  • igbt功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管(igbt)構成的功率模塊

    由于igbt模塊為mosfet結構,igbt的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離,具有出色的器件性能。廣泛應用于伺服電機,變頻器,變頻家電等領域。?igbt是先進的第三代功率模塊,工作頻率1-20khz,主要應用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路,即dc/ac變換中。例電動汽車、伺服控制器、ups、開關電源、斬波電源、無軌電車等。問世迄今有十年多歷史,幾乎己替代一切其它功率器件,例s

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