肖特基二管損壞常見的原因

時間：2021-11-15

作者：深圳市維品佳科技有限公司

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詞條說明
MOS場效應管檢測方法
MOS場效應管即金屬-氧化物-半導體型場效應管，英文縮寫為MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor，即金屬氧化物合成半導體的場效應晶體管），屬于絕緣柵型。在金屬柵與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（高可達1015Ω）。它也分N溝道管和P溝道管。通常是將襯底（基板）與源S接在一起。?MOS場效應管檢
高度集成并擁有保護功能的PWM控制器難找？快來看看CR6863方案吧
CR6863B是一款高集成度、低待機功耗的CCM+PFM混合電流模式PWM控制器。CR6863B輕載時會降低頻率，低頻率22kHz可避免音頻噪聲。CR6863B提供了完整的保護功能，如電流限制、OCP\OTP\VDD\OVP\UVLO等。軟啟動功能可以減少系統啟動時MOS場效應管的應力，消隱時間簡化了系統應用。通過頻率抖動和軟驅動電路的設計，降低開關躁聲，簡化了EMI設計，CR6863B還提供VD
肖特基二管的優缺點
肖特基二管的優勢SBD的主要優點包括兩個方面：1）由于肖特基勢壘高度PN結勢壘高度，故其正向導通和正向壓降都比PN結二管低（約低0.2V）。2）由于SBD是一種多數載流子導電器件，不存在少數載流子壽命和反向恢復問題。SBD的反向恢復時間只是肖特基勢壘電容的充、放電時間，不同于PN結二管的反向恢復時間。由于SBD的反向恢復電荷非常少，故開關速度非常快，開關損耗也特別小，尤其適合于高頻應用。肖特基二管
CR5249屬通用型內置MOS功率開關IC 國內芯片
CR5249屬通用型內置MOS功率開關IC 國內芯片芯片特點1.內置65kHz工作頻2.次級二管短路保護3.系列產品功率覆蓋范齊全4.管腳兼容范圍啟達CR524X系列是一款性能高的電流控制型PWM開關IC，待機功耗小于100mW(全電壓），滿足六能效標準。為了減少待機功耗和效率的提升，CR524X系列集成了多種工作模式。隨著負載的變化，CR524X系列可以工作在三種不同的模式下。并且每種模式都優化