鵬城半導體攜熱絲CVD金剛石設備亮相碳基半導體材料產業發展論壇

時間：2023-05-25

作者：鵬城半導體技術（深圳）有限公司

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新聞快訊-鵬城半導體MOCVD設備
材料的輸運采取了**純的氣路系統，源的切換和輸入采用了多路組合閥進氣技術。由于組合閥具有較小的死空間，使得源的殘留量非常少，有利于生長具有陡峭界面的材料。采用壓差控制技術控制組合閥的旁路和主路之間的壓力，大大降低了源的壓力和濃度波動，有利于材料生長的重復性和穩定性。采用了管道鑲嵌式進氣噴頭，使反應源在襯底表面均勻混合并反應，大大降低了預反應的發生。采用電阻式快速升降溫加熱爐。
鵬城半導體攜TGV/TSV/TMV技術亮相慕尼黑上海光博會
?慕尼黑上海光博會，堪稱亞洲激光、光學、光電行業的年度盛會。自 2006 年**在上海舉辦以來，其規模與影響力與日俱增，已然成為**光電行業的重要交流平臺。慕尼黑上海光博會將于2025年3月20-22日在上海新**博覽中心（上海市浦東新區龍陽路2345號）舉辦，屆時鵬城半導體將攜*薄膜沉積設備及技術解決方案在E4館4631亮相。基于納米與原子制造的PVD/CVD技術，用于高質量的薄膜
創芯未來鵬城半導體亮相第二屆碳基半導體材料與器件產業發展論壇
半導體行業技術高、進步快，一代產品需要一代工藝，而一代工藝需要一代設備。**半導體設備市場集中度高，主要有美日荷廠商壟斷，國內自給率僅有 5%左右，國產替代空間巨大。尤其是隨著摩爾定律趨近極限，半導體行業技術進步放緩，國內廠商與****技術差距正在逐漸縮短，未來 3-5 年將是半導體設備國產替代黃金戰略機遇期。鵬城半導體技術（深圳）有限公司作為一家半導體材料、工藝和裝備的研發設計、生產制造集一體的
等離子體化學氣相沉積設備有哪些特點《臺風資訊》
等離子體化學氣相沉積設備有兩種:其一是PCVD(等離子體一般化學氣相沉積)，另一個是PECVD(等離子體增強化學氣相沉積)，它們都是在20世紀70年代發展起來的鍍膜工藝。其特點是:1、在不同基片上制備各種金屬膜、**物聚合膜、非晶態無機物膜;2、等離子體清洗基材，使膜層的附著力增加;3、可制備厚膜，內應力小、致密性好、針孔小、膜層成分均勻、不易產生微裂紋;4、低溫成膜，溫度對基材沒什么影響，避免了