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等離子處理器也屬于干洗法,與傳統(tǒng)的濕法清洗器相比,電漿處理器具備工藝簡單、操作簡單、可控性高、精度高等特點,能一次清理表層不會有殘留物,反觀濕法清理一次清理不干凈還會有殘留物,如果使用大量的溶劑,對環(huán)境和人體都會有害。電漿清洗器在使用流程中,有兩種清理流程:化學(xué)變化和物理反應(yīng)。電漿清理性能好,清理快,去除氧化物,**物和物體表層活化效果好,而且在使用流程中不會產(chǎn)生對人體和環(huán)境有害的氣體,是一種真正
?plasma等離子體能量密度對H2氣氛下C2H6脫氫反應(yīng)的影響
?plasma等離子體能量密度為860 kJ/mol時,H2添加量對C2H6脫氫反應(yīng)的影響:隨著H2濃度增加,C2H6轉(zhuǎn)化率,C2H2、C2H4和CH4收率均有所增加,這表明H2的加入有利于C2H6轉(zhuǎn)化及C2H2、C2H4和CH4生成。產(chǎn)生上述結(jié)果的可能原因是:一方面氫氣因其導(dǎo)熱性好,可大量傳遞熱量,在乙烷plasma等離子體中起稀釋氣體作用;另一方面氫氣的H-H鍵斷裂能為4.48eV,
等離子體刻蝕機清洗技術(shù)在塑料及橡膠行業(yè)中的應(yīng)用
等離子體刻蝕機是利用高頻輝光放電反應(yīng),將反應(yīng)氣體為原子或游離基等具有活性的粒子,這些活性粒子擴散到需要腐蝕的位置,然后與被刻蝕的物質(zhì)發(fā)生反應(yīng),形成揮發(fā)性反應(yīng)物,這種腐蝕方法也稱為干腐蝕。等離子化洗蝕刻技術(shù)是電漿特殊特性的應(yīng)用。等離子體清洗蝕刻技術(shù)的形成設(shè)備,是在密閉器皿內(nèi)用進口真空泵達到相應(yīng)的真空度,隨著氣體的稀薄,分子間隔及分子與離子之間的自由運動距離變長,在電場的作用下碰撞形成等離子體,這些離
等離子體CMOS工藝中應(yīng)用于集成電路制造中WAT方法研究
WAT(Wafer Accept Test)即硅圓片接收測試,就是在半導(dǎo)體硅片完成所有的制程工藝后,對硅圓片上的各種測試結(jié)構(gòu)進行電性測試,它是反映產(chǎn)品質(zhì)量的一種手段,是產(chǎn)品入庫前進行的一道質(zhì)量檢驗。? ? ? ??伴隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,等離子體工藝已廣泛應(yīng)用于集成電路制造中,離子注入、干法刻蝕、干法去膠、UV輻射、薄膜淀積等都可能會引入等離子體損
公司名: 深圳子柒科技有限公司
聯(lián)系人: 熊生
電 話:
手 機: 13714491283
微 信: 13714491283
地 址: 廣東深圳寶安區(qū)華宏工業(yè)園A棟
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網(wǎng) 址: ziqiplasma.b2b168.com
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