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IGBT是將強電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。當(dāng)集電極被施加一
在使用富士IGBT時需要注意以下幾點事項:電壓和電流匹配:選擇適當(dāng)?shù)母皇縄GBT型號,確保其額定電壓和額定電流能夠滿足實際工作條件的需求,并注意不要超過其電壓和電流的極限值。散熱設(shè)計:富士IGBT在工作時會產(chǎn)生熱量,因此需要進行合適的散熱設(shè)計,確保器件能夠在正常工作溫度范圍內(nèi)運行。選擇合適的散熱材料和散熱器,并正確安裝和調(diào)整散熱系統(tǒng)。靜電防護:富士IGBT是一種敏感的半導(dǎo)體器件,對靜電有很高的敏感
IGBT如何選型 1、IGBT額定電壓的選擇 三相380V輸入電壓經(jīng)過整流和濾波后,直流母線電壓的最大值:在開關(guān)工作的條件下,IGBT的額定電壓一般要求高于直流母線電壓的兩倍,根據(jù)IGBT規(guī)格的電壓等級,選擇1200V電壓等級的IGBT。 2、IGBT額定電流的選擇 以30kW變頻器為例,負載電流約為79A,由于負載電氣啟動或加速時,電流過載,一般要求1分鐘的時間內(nèi),承受1.5倍的過流,擇最大負載
本公司是一家專業(yè)回收英飛凌IGBT,回收富士IGBT,回收三菱IGBT的科技公司。一、元件:工廠在加工時沒改變原材料分子成分的產(chǎn)品可稱為元件,元件屬于不需要能源的器件。它包括:電阻、電容、電感。(又稱為被動 元件Passive Components)元件分為:1、電路類元件:二極管,電阻器等等2、連接類元件:連接器,插座,連接電纜,印刷電路板(PCB)二、器件:工廠在生產(chǎn)加工時改變了原材料分子結(jié)構(gòu)
公司名: 深圳市寶安區(qū)誠芯源電子商行
聯(lián)系人: 劉經(jīng)理
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