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IGBT簡介IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙較型晶體管,是由BJT(雙較型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上
可控硅結構大家使用的是單向晶閘管,也就是人們常說的普通晶閘管,它是由四層半導體材料組成的,有三個PN結,對外有三個電極〔圖2(a)〕:**層P型半導體引出的電極叫陽極A,*三層P型半導體引出的電極叫控制較G,*四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號〔圖2(b)〕可以看到,它和二極管一樣是一種單方向導電的器件,關鍵是多了一個控制較G,這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。以硅單晶為基
二極管結構組成二極管就是由一個PN結加上相應的電極引線及管殼封裝而成的。?采用不同的摻雜工藝,通過擴散作用,將P型半導體與N型半導體制作在同一塊半導體(通常是硅或鍺)基片上,在它們的交界面就形成空間電荷區稱為PN結。??由P區引出的電極稱為陽極,N區引出的電極稱為陰極。因為PN結的單向導電性,二極管導通時電流方向是由陽極通過管子內部流向陰極。?[4]&nbs
1、晶閘管(SCR)晶體閘流管簡稱晶閘管,也稱為可控硅整流元件(SCR),是由三個PN結構成的一種大功率半導體器件。在性能上,晶閘管不僅具有單向導電性,而且還具有比硅整流元件較為可貴的可控性,它只有導通和關斷兩種狀態。晶閘管的優點很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數高達幾十萬倍;反應較快,在微秒級內開通、關斷;無觸點運行,無火花、無噪聲;效率高,成本低等。因此,特別是在大功率UPS供電系統
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