可控硅調速原理

時間：2020-05-12

作者：上海秦邦電子科技有限公司

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詞條說明
【英飛凌IGBT模塊】IGBT原理
IGBT原理方法IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數值高的特征，IGBT消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然較新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性，但是在高電平時，功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高
【二極管模塊】二極管的主要分類
點接觸型二極管點接觸型二極管的PN結接觸面積小，不能通過較大的正向電流和承受較高的反向電壓，但它的高頻性能好，適宜在高頻檢波電路和開關電路中使用。面接觸型二極管面接觸型二極管的PN結接觸面積大，可以通過較大的電流，也能承受較高的反向電壓，適宜在整流電路中使用。平面型二極管平面型二極管在脈沖數字電路中作開關管使用時PN結面積小，用于大功率整流時PN結面積較大。穩壓管穩壓管是一種特殊的面接觸型半導體硅
【英飛凌IGBT模塊】IGBT工作特性
IGBT工作特性靜態特性IGBT 的靜態特性主要有伏安特性、轉移特性。IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時，漏較電流與柵較電壓之間的關系曲線。輸出漏較電流比受柵源電壓Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區1 、放大區2 和擊穿特性3 部分。在截止狀態下的IGBT ，正向電壓由J2 結承擔，反向電壓由J1結承擔。如果無N+緩沖區，則正反
保險絲與熔斷器的區別
保險絲是較簡單的保護裝置之一。在農村，配電變壓器的高低壓側設置熔斷器作為短路保護，防止短路電流對變壓器的破壞。此外，各種動力照明裝置常采用熔斷器作為短路故障或連續過載保護裝置。當電流**過較**，熔斷器借助熔體破壞電路。它是一種過負荷和短路保護的電器，較大的特點是結構簡單、體積小、重量輕、使用維護方便、價格低廉、可靠性高，具有很大的實用**和經濟意義。保險絲是一種簡單有效的保護用具，在電路中主要起短