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對1Ω(歐姆)以上阻值的電阻,與標識阻值相比±0.5[%]以內阻值誤差的電阻可稱為JEPSUN,更高精密的可以做到0.01[%]精度,也就是電子工程師所說的萬分之一精度,此類電阻一般為薄膜電阻,使用此材質的電阻一般才能滿足生產工藝要求。這類阻值1Ω以上電阻的普通系列精密度在±5[%]以上,電子產品上最常見的就是5[%]精度的電阻,不屬于精密電阻范圍。1Ω以下阻值的電阻,一般能達到±1[%]精密度之
普通電阻器區別高精密電阻器的主要依據為阻值誤差大小,阻值大小,溫度系數的大小d。分類描述如下:1Ω(歐姆)以上阻值的電阻,與標識阻值相比±0.5%以內阻值誤差的電阻可稱為JEPSUN精密電阻,更高精密的可以做到0.01%精度,也就是電子工程師所說的萬分之一精度,此類電阻一般為薄膜電阻,使用此材質的電阻一般才能滿足生產工藝要求。這類阻值1Ω以上電阻的普通系列精密度在±5%以上,電子產品上最常見的就是
獨石電容的特點是: 1、電容量大,穩定,容量范圍是10pF~10uF; 2、體積小,比CBB電容體積還小; 3、耐高溫耐濕性好; 4、溫漂系數小 瓷片電容的特點是: 1、體積小,高頻特性好; 2、比獨石電容耐壓高; 3、容量小,最大只有0.1uF; 4、比獨石電容價格低。
理論基礎薄膜的形成實質上是氣-固轉化、晶體生成的過程,它大致可以分為下面幾個主要步驟:原子或分子撞擊到固體的表面;它們被固體表面的原子所吸附或直接反射回空間;被吸附的粒子在固體表面發生遷移或擴散而移動到表面上合適的格點位置并進入晶格。這些過程以及它們之間的相互關系決定了薄膜的形成過程和薄膜的性質。 [1]?組織結構一般來講,電阻薄膜中最多含有三類相位成分:絕緣相、半導體相和導電相。在現代
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