詞條
詞條說(shuō)明
貼片電容目前使用NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的材質(zhì)規(guī)格,不同的規(guī)格有不同的用途。下面我們僅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V來(lái)介紹一下它們的性能和應(yīng)用以及采購(gòu)中應(yīng)注意的訂貨事項(xiàng)以引起大家的注意。不同的公司對(duì)于上述不同性能的電容器可能有不同的命名方法,這里我們引用的是敝司三巨電子公司的命名方法,其他公司的產(chǎn)品請(qǐng)參照該公司的產(chǎn)品手冊(cè)。 NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要區(qū)別是它們的填充介
獨(dú)石電容的特點(diǎn)和瓷片電容的特點(diǎn)又有什么區(qū)別呢?
獨(dú)石電容的特點(diǎn)是: 1、電容量大,穩(wěn)定,容量范圍是10pF~10uF; 2、體積小,比CBB電容體積還小; 3、耐高溫耐濕性好; 4、溫漂系數(shù)小 瓷片電容的特點(diǎn)是: 1、體積小,高頻特性好; 2、比獨(dú)石電容耐壓高; 3、容量小,最大只有0.1uF; 4、比獨(dú)石電容價(jià)格低。
理論基礎(chǔ)薄膜的形成實(shí)質(zhì)上是氣-固轉(zhuǎn)化、晶體生成的過(guò)程,它大致可以分為下面幾個(gè)主要步驟:原子或分子撞擊到固體的表面;它們被固體表面的原子所吸附或直接反射回空間;被吸附的粒子在固體表面發(fā)生遷移或擴(kuò)散而移動(dòng)到表面上合適的格點(diǎn)位置并進(jìn)入晶格。這些過(guò)程以及它們之間的相互關(guān)系決定了薄膜的形成過(guò)程和薄膜的性質(zhì)。 [1]?組織結(jié)構(gòu)一般來(lái)講,電阻薄膜中最多含有三類相位成分:絕緣相、半導(dǎo)體相和導(dǎo)電相。在現(xiàn)代
薄膜電阻器是用類蒸發(fā)的方法將一定電阻率材料蒸鍍于絕緣材料表面制成,一般這類電阻常用的絕緣材料是陶瓷基板。近年來(lái),隨著電子信息技術(shù)的快速發(fā)展,A/D、D/A 轉(zhuǎn)換電路及其它線性或非線性電路的發(fā)展日新月異,其中以薄膜電阻網(wǎng)絡(luò)為核心的高精度運(yùn)算放大器和高精度的 A/D、D/A 轉(zhuǎn)換電路是必不可少的。為了提高ADC和 DAC 的精度和分辨率,薄膜電阻的性能也必須有相應(yīng)的提高。DAC 和ADC 精度和分辨率
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