KRi 大面積射頻離子源應用于 12英寸,8英寸 IBE 離子束蝕刻系統

時間：2024-01-12

作者：伯東企業（上海）有限公司

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KRI 離子源用于鍍制1064nm窄帶濾光片激光膜
?? ? ? 1064nm 窄帶濾光片是在各類玻璃材質表面通過特殊的鍍膜工藝而形成的光學元件, 可以從入射光中選取任意所需求的波長, 半峰值一般在 5nm~50nm之間, 具有波長定位準確、透過高、截止深、溫漂小、性好、光潔度好的特點, 是激光設備應用中常見的濾光片解決方案.?? ? ? 1064nm 窄帶濾光片使用在
上海伯東提供適用于薄膜太陽能電池生產的離子源和真空系統
? ? ?在沒有真空的情況下，可再生能源的發展是不可能的。以光伏發電（Photovoltaics，PV）為例，這是一種為大家所熟知的能源轉化方式，通過太陽能電池將太陽輻射能轉化為電子流，進而生成電能。? ? ? ?太陽能電池技術有許多種類，其中一種主要的技術是基于薄膜沉積。這種方法的主要優點在于，它在制造太陽能電池時消耗的材料較
KRi 大面積射頻離子源應用于 12英寸,8英寸 IBE 離子束蝕刻系統
上海伯東美國?KRi 考夫曼公司大面積射頻離子源? RFICP 380, RFICP 220 成功應用于 12英寸和 8英寸 IBE? 離子束蝕刻機, 刻蝕均勻性（1 σ）達到< 1%. 可以用來刻蝕任何固體材料, 包括金屬, 合金, 氧化物, 化合物, 混合材料, 半導體, 絕緣體, 導體等.離子束刻蝕屬于干法刻蝕, 其部件為大面積離子源. 作為蝕刻機的部件,
HVA 高真空閘閥應用于 E-Beam 鍍膜機
因產品配置不同，價格貨期需要電議，圖片僅供參考，一切以實際成交合同為準。HVA 高真空閘閥應用于 E-Beam 鍍膜機E-Beam 電子束蒸發鍍膜機用于在半導體, 光學, **導材料等行業的研究與生產, 比如基片蒸發沉積金屬, 導電薄膜, 半導體薄膜, 鐵電薄膜, 光學薄膜和介質材料.E-Beam 鍍膜機設備組成:?系統主要由蒸發室, 電子, 進樣室 (可選) , 旋轉基片加熱臺, 工作氣