氦質譜檢漏儀 CVD 設備檢漏,滿足*三代半導體芯片量產

時間：2023-04-12

作者：伯東企業（上海）有限公司

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美國 KRi 霍爾離子源輔助鍍膜 IBAD 應用
上海伯東美國?KRi 霍爾離子源?EH 系列, 提供高電流低能量寬束型離子束, KRi?霍爾離子源可以以納米精度來處理薄膜及表面, 多種型號滿足科研及工業, 半導體應用.?霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率, 低能量減少離子轟擊損傷表面, 寬束設計提高吞吐量和覆蓋沉積區. 整體易操作, 易維護, 安裝于各類真空設備中, 例如 e-beam 電子束鍍膜機, lo
氦質譜檢漏儀中壓開關柜檢漏
氦質譜檢漏儀中壓開關柜檢漏應用于電力行業的中壓開關柜, 廣泛使用在發電廠, 變電站, 地區電網和輸電站中. 另外也適用于船舶, 高鐵等. 中壓開關柜是一種金屬封閉開關設備, 它對中壓開關以外的其他設備, 起到很好的絕緣性能, 避免電弧燒穿電力設備, **電力使用上的安全, 中壓開關柜內部通過吸和開關控制電路.開關吸合器需要檢漏中壓開關柜內部通過吸和開關控制電路, 吸合器內部真空環境, 如果有漏,
KRI 霍爾離子源應用于黑膜鍍制
? ?? ? ?黑膜鍍制,?是指將入射到材料表面的光線,?包括紫外光、可見光、近紅外光以及中遠紅外波段的光,?幾乎全部吸收而基本沒有反射的表面處理技術.?高的吸收率使黑膜有著廣闊的應用前景.?如可在精密光學儀器和光學零件、醫療儀器、航空航天、外觀裝飾品等產品上得到廣泛使用,?可大幅度提高產
KRi 離子源 e-beam 電子束蒸發系統輔助鍍膜應用
上海伯東美國?KRi 考夫曼離子源?e-beam 電子束蒸發系統輔助鍍膜應用上海伯東美國?KRi 考夫曼離子源?KDC 系列, 通過加熱燈絲產生電子, 是典型的考夫曼型離子源, 離子源增強設計輸出低電流高能量寬束型離子束, 通過同時的或連續的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 實現輔助鍍膜 IBAD.?e-beam?電子束蒸