殘余氣體分析儀應(yīng)用于高溫真空爐, 實(shí)現(xiàn)質(zhì)量保證和過程優(yōu)化

時(shí)間：2023-04-12作者：伯東企業(yè)（上海）有限公司瀏覽：91

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• KRI 霍爾離子源應(yīng)用于黑膜鍍制

  ? ?? ? ?黑膜鍍制,?是指將入射到材料表面的光線,?包括紫外光、可見光、近紅外光以及中遠(yuǎn)紅外波段的光,?幾乎全部吸收而基本沒有反射的表面處理技術(shù).?高的吸收率使黑膜有著廣闊的應(yīng)用前景.?如可在精密光學(xué)儀器和光學(xué)零件、醫(yī)療儀器、航空航天、外觀裝飾品等產(chǎn)品上得到廣泛使用,?可大幅度提高產(chǎn)

• KRi 考夫曼離子源表面預(yù)清潔 Pre-clean 應(yīng)用

  上海伯東代理美國(guó)?KRi 考夫曼離子源適用于安裝在 MBE 分子束外延, 濺射和蒸發(fā)系統(tǒng), PLD 脈沖激光系統(tǒng)等, 在沉積前用離子轟擊表面, 進(jìn)行預(yù)清潔 Pre-clean 的工藝, 對(duì)基材表面物清洗, 金屬氧化物的去除等, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應(yīng)力, 工藝效率等！KRi 離子源預(yù)清潔可以實(shí)現(xiàn)去除物理吸附污染: 去除表面污染, 如水, 吸附氣體, 碳?xì)浠衔餁埩羧コ瘜W(xué)吸附污

• HVA 高真空閘閥應(yīng)用于 OLED 鍍膜機(jī)

  因產(chǎn)品配置不同，價(jià)格貨期需要電議，圖片僅供參考，一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)。HVA?高真空閘閥應(yīng)用于 OLED 鍍膜機(jī)OLED 鍍膜機(jī)主要面向半導(dǎo)體照明客戶, 需要鍍膜機(jī)性能穩(wěn)定, 器件效率高, *,HVA?高真空閘閥應(yīng)用一般科研用鍍膜機(jī)的基片尺寸在 4”和6”大小, 本底真空度要求達(dá)到 5*10-7mbar 或 5*10-8mbar, 這時(shí)需要配置分子泵系統(tǒng)或低溫泵

• 分子泵組應(yīng)用于低溫真空探針臺(tái)

  Pfeiffer?分子泵組應(yīng)用于低溫真空探針臺(tái)真空探針臺(tái)一般用于復(fù)雜, 高速精密器件進(jìn)行表面觀測(cè)以及各種性能測(cè)試的儀器, 通過測(cè)試可以產(chǎn)品的質(zhì)量和性并縮減研發(fā)時(shí)間和器件制造工藝的成本. 探針臺(tái)主要應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè), 光電行業(yè), 集成電路以及封裝的測(cè)試為什么需要真空環(huán)境?1. 真空探針臺(tái)通過搭配分子泵組, 配合真空吸附卡盤及真空吸附探針座的使用, 通過空氣壓縮, 固定樣品及探針座.2. 由